Memoria Ram DDR3-4GB 1600MHz PC3-12800MHZ

• Modelo
• Escritorio: DDR3
• Capacidad: 4GB
• Velocidad de memoria: DDR3-1600MHz PC3-12800MHZ
• Enchufe de memoria: DIMM
• Chipset: chipset ETT de 8Bits
• Marca del Chipset: HY,SEC,MIC,ELP ....
• Canal de memoria: doble canal
• Latencia CAS: CL11
• Sincronización de la memoria: 11-11-28
• Radiador: Sí
• Pines: 240 pines
• Voltaje: 1,5 V
• Características: sin amortiguar
• Función: No ECC
• Marca Ram: Yongxinsheng
• Compatible con AMD -INTEL 

1. Somos fabricantes de módulos SDRAM PC133, DDR1, DDR2, DDR3 y DDR4 Dram en Shenzhen, China.2. Nuestros chips RAM están garantizados por la marca original de Samsung Hynix magnesium.3. Embalado en cada paquete pequeño/individual o junto.4. Toda la RAM ha sido bien probada antes de salir de fábrica.